2SD1207S中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 140
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1207S引脚图与封装图
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在线购买2SD1207S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1207S | ON Semiconductor 安森美 | PNP / NPN外延平面硅晶体管 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors | 搜索库存 |
替代型号2SD1207S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1207S 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： MP-3 1000mW | 当前型号 | PNP / NPN外延平面硅晶体管 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors | 当前型号 |
| 型号： NTE2363 品牌： NTE Electronics 封装： NPN | 类似代替 | NPN 50V 4A | 2SD1207S和NTE2363的区别 |
| 型号： 2SC3279 品牌： Secos 封装： | 功能相似 | 2A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor | 2SD1207S和2SC3279的区别 |
| 型号： 2SD1207-S 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | 2000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN | 2SD1207S和2SD1207-S的区别 |