2SC3647S-TD-E中文资料参数规格
技术参数
频率 120 MHz
针脚数 3
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 280
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 140
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SC3647S-TD-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SC3647S-TD-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC3647S-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 搜索库存 |
替代型号2SC3647S-TD-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC3647S-TD-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-243AA N-Channel 500mW | 当前型号 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 当前型号 |