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2SA1419S-TD-H

2SA1419S-TD-H

数据手册.pdf

SOT-89 PNP 160V 1.5A

Features

• Adoption of FBET, MBIT processes

• High breakdown voltage and large current capacity

• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s


得捷:
TRANS PNP 160V 1.5A PCP


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V


艾睿:
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


2SA1419S-TD-H中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 280

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SA1419S-TD-H引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2SA1419S-TD-H ON Semiconductor 安森美 SOT-89 PNP 160V 1.5A 搜索库存
替代型号2SA1419S-TD-H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SA1419S-TD-H

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-89 PNP 1500mW

当前型号

SOT-89 PNP 160V 1.5A

当前型号

型号: 2SA1419S-TD-E

品牌: 安森美

封装: SOT-89 PNP 500mW

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2SA1419S-TD-H和2SA1419S-TD-E的区别

型号: 2SA1419S

品牌: 安森美

封装:

功能相似

SOT-89 PNP 160V 1.5A

2SA1419S-TD-H和2SA1419S的区别