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2SC6096-TD-E

2SC6096-TD-E

数据手册.pdf

单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 MHz, 3.5 W, 2 A, 300 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 100V 2A 300MHz 1.3W Surface Mount PCP


得捷:
TRANS NPN 100V 2A PCP


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2SC6096-TD-E


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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V


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单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 MHz, 3.5 W, 2 A, 300 hFE


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Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


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Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab PCP T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


2SC6096-TD-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 3.5 W

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

直流电流增益hFE 300

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC6096-TD-E引脚图与封装图
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在线购买2SC6096-TD-E
型号 制造商 描述 购买
2SC6096-TD-E ON Semiconductor 安森美 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 MHz, 3.5 W, 2 A, 300 hFE 搜索库存
替代型号2SC6096-TD-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SC6096-TD-E

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: PCP N-Channel 1300mW

当前型号

单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 MHz, 3.5 W, 2 A, 300 hFE

当前型号

型号: 2SC6096-TD-H

品牌: 安森美

封装: PCP NPN 1300mW

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