2SC6096-TD-E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 3.5 W
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600 @100mA, 5V
额定功率Max 1.3 W
直流电流增益hFE 300
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-243
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 TO-243
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC6096-TD-E引脚图与封装图
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在线购买2SC6096-TD-E
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC6096-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 MHz, 3.5 W, 2 A, 300 hFE | 搜索库存 |
替代型号2SC6096-TD-E
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SC6096-TD-E 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: PCP N-Channel 1300mW | 当前型号 | 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 MHz, 3.5 W, 2 A, 300 hFE | 当前型号 | |
型号: 2SC6096-TD-H 品牌: 安森美 封装: PCP NPN 1300mW | 类似代替 | SOT-89 NPN 100V 2A | 2SC6096-TD-E和2SC6096-TD-H的区别 |