2SB1124S-TD-E中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 280
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-62-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SC-62-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SB1124S-TD-E引脚图与封装图
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在线购买2SB1124S-TD-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1124S-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 | 搜索库存 |
替代型号2SB1124S-TD-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1124S-TD-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： PCP PNP 500mW | 当前型号 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 | 当前型号 |
| 型号： 2SB1124S-TD-H 品牌： 安森美 封装： SOT-89 PNP | 类似代替 | 双极晶体管-50V ， -3A ，低VCEsat晶体管， PNP ， NPN单PCP Bipolar Transistor -50V, -3A, Low VCEsat, PNP,NPN Single PCP | 2SB1124S-TD-E和2SB1124S-TD-H的区别 |
| 型号： 2SB1124S 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 3A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, PCP, 3 PIN | 2SB1124S-TD-E和2SB1124S的区别 |