2SA2012-TD-E中文资料参数规格
技术参数
频率 350 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 3.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Motor drivers, Strobes, Relay drivers, Lamp drivers
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SA2012-TD-E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA2012-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极型晶体管???? 30V ，Ⅰ ???? 5A ，低VCE （ sat）的PNP单PCP Bipolar Transistor â30V, â5A, Low VCEsat PNP Single PCP | 搜索库存 |