2SA2013-TD-E中文资料参数规格
技术参数
频率 360 MHz
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 3.5 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Relay drivers, Lamp drivers, Motor drivers, Flash
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SA2013-TD-E引脚图与封装图
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在线购买2SA2013-TD-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA2013-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号2SA2013-TD-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA2013-TD-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-243AA PNP 1.3W | 当前型号 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： SA201 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 7A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN | 2SA2013-TD-E和SA201的区别 |
| 型号： 2SA201 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Transistor | 2SA2013-TD-E和2SA201的区别 |