2N6426RLRAG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6426RLRAG引脚图与封装图
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在线购买2N6426RLRAG
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N6426RLRAG | ON Semiconductor 安森美 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N6426RLRAG
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N6426RLRAG 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 500mA 625mW | 当前型号 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | 当前型号 | |
型号: 2N6426RLRA 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 500mA 625mW | 完全替代 | TO-92 NPN 40V 0.5A | 2N6426RLRAG和2N6426RLRA的区别 |