2SA2029M3T5G中文资料参数规格
技术参数
频率 140 MHz
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 265 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 265 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 265 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
外形尺寸
长度 1.25 mm
宽度 0.85 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-723-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SA2029M3T5G引脚图与封装图
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在线购买2SA2029M3T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA2029M3T5G | ON Semiconductor 安森美 | 通用 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号2SA2029M3T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA2029M3T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-723-3 PNP -50V -100mA 265mW | 当前型号 | 通用 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： 2SA2021G 品牌： 松下 封装： | 功能相似 | Silicon PNP epitaxial planar type Transistors | 2SA2029M3T5G和2SA2021G的区别 |
| 型号： 2SA2122G 品牌： 松下 封装： | 功能相似 | Silicon PNP epitaxial planar type | 2SA2029M3T5G和2SA2122G的区别 |