2N3904RLRAG中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N3904RLRAG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N3904RLRAG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3904RLRAG | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N3904RLRAG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3904RLRAG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 200mA 0.625W | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N3904RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 200mA 625mW | 完全替代 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 2N3904RLRAG和2N3904RL1G的区别 |
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| 型号： 2N3904RLRP 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 200mA | 完全替代 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 2N3904RLRAG和2N3904RLRP的区别 |