2SC5231A-8-TL-E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.1 W
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 12 dB
最小电流放大倍数hFE 90 @20mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SOT-416
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC5231A-8-TL-E引脚图与封装图
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在线购买2SC5231A-8-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5231A-8-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号2SC5231A-8-TL-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC5231A-8-TL-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-75 N-Channel 100mW | 当前型号 | ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |