2SC5231A-9-TL-E中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.1 W
击穿电压集电极-发射极 10 V
最小电流放大倍数hFE 135 @20mA, 5V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC5231A-9-TL-E引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC5231A-9-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 3Pin2+Tab SMCP | 搜索库存 |