2SC5551AF-TD-E中文资料参数规格
技术参数
频率 3500 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 135 @50mA, 5V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-243
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-243
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC5551AF-TD-E引脚图与封装图 
2SC5551AF-TD-E引脚图
2SC5551AF-TD-E封装图
2SC5551AF-TD-E封装焊盘图
在线购买2SC5551AF-TD-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5551AF-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号2SC5551AF-TD-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC5551AF-TD-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-243AA NPN 1300mW | 当前型号 | ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： 5.5-1AF 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor | 2SC5551AF-TD-E和5.5-1AF的区别 |