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2N7002LT1

2N7002LT1

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小信号N沟道SOT23封装场效应管

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 115mA/0.115A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 7.5Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W Description & Applications | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Features 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 特性 60 V，115 mA，N沟道SOT-23 无铅封装

2N7002LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 115 mA

漏源极电阻 7.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.3 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N7002LT1引脚图与封装图
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2N7002LT1 ON Semiconductor 安森美 小信号N沟道SOT23封装场效应管 搜索库存
替代型号2N7002LT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N7002LT1

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms

当前型号

小信号N沟道SOT23封装场效应管

当前型号

型号： 2N7002LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms

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ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

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型号： BSS123LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF

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2N7002LT1和BSS123LT1G的区别

型号： 2N7002ET1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA

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