2SC5551AE-TD-E中文资料参数规格
技术参数
频率 3500 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 90 @50mA, 5V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-243
外形尺寸
封装 TO-243
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC5551AE-TD-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SC5551AE-TD-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5551AE-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | SOT-89 NPN 30V 0.3A | 搜索库存 |
替代型号2SC5551AE-TD-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC5551AE-TD-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-243AA NPN 1300mW | 当前型号 | SOT-89 NPN 30V 0.3A | 当前型号 |