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2SC5415AE-TD-E

2SC5415AE-TD-E

数据手册.pdf

ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

射频双极,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 射频双极晶体管,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SC5415AE-TD-E NPN RF Bipolar Transistor, 0.1 A, 12 V, 3-Pin PCP


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP


2SC5415AE-TD-E中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 9 dB

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 90 @30mA, 5V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-243

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5415AE-TD-E引脚图与封装图
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2SC5415AE-TD-E ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存