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2SC5227A-5-TB-E

2SC5227A-5-TB-E

数据手册.pdf

ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

射频双极,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP


立创商城:
2SC5227A-5-TB-E


欧时:
ON Semiconductor 2SC5227A-5-TB-E , NPN 晶体管, 70 mA, Vce=10 V, HFE:60, 7 GHz, 3引脚 CP封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW-NOISE AMPLIFIER


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, 60 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SC5227A-5-TB-E NPN RF Bipolar Transistor, 0.07 A, 10 V, 3-Pin CP


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R


罗切斯特:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin CP T/R


Win Source:
TRANS NPN BIPO VHF-UHF CP


2SC5227A-5-TB-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 135 @20mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 270

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SC5227A-5-TB-E引脚图与封装图
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在线购买2SC5227A-5-TB-E
型号 制造商 描述 购买
2SC5227A-5-TB-E ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 搜索库存
替代型号2SC5227A-5-TB-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SC5227A-5-TB-E

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-236-3 N-Channel 200mW

当前型号

ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

当前型号