2N5462G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 100 mA
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 7.00 pF
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40.0 V
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 135 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 135℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N5462G引脚图与封装图
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在线购买2N5462G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5462G | ON Semiconductor 安森美 | JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion | 搜索库存 |
替代型号2N5462G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5462G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 P-Channel -40V 100mA 350mW | 当前型号 | JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion | 当前型号 |
| 型号： 2N5462 品牌： 安森美 封装： TO-226-3 P-Channel -40V 10mA 350mW | 类似代替 | JFET放大器 JFET Amplifiers | 2N5462G和2N5462的区别 |
| 型号： 2N5462-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-92 P-Channel 350mW | 功能相似 | Trans JFET P-CH 3Pin TO-226AA | 2N5462G和2N5462-E3的区别 |