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2N4338-E3

2N4338-E3

数据手册.pdf

VISHAY  2N4338-E3  放大器, JFET, N沟道

The is a 57V N-channel JFET in a hermetically sealed case and is designed for sensitive amplifier stages at low to mid frequencies. Low cut-off voltages accommodate low-level power supplies and low leakage for improved system accuracy. Suitable for infrared detector amplifier and ultra high input impedance amplifier applications.

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High input impedance
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Low noise
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High gain Av = 80 at 20µA
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Low signal loss/system error
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High system sensitivity
2N4338-E3中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 -57.0 V

耗散功率 300 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-206

其他

包装方式 Bulk

制造应用 安全, Security, 传感与仪器, Sensing & Instrumentation

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

2N4338-E3引脚图与封装图
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在线购买2N4338-E3
型号 制造商 描述 购买
2N4338-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  2N4338-E3  放大器, JFET, N沟道 搜索库存
替代型号2N4338-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N4338-E3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-206AA 300mW

当前型号

VISHAY  2N4338-E3  放大器, JFET, N沟道

当前型号

型号： NTE133

品牌： NTE Electronics

封装： TO-106 N-Channel 300mW

功能相似

NTE ELECTRONICS  NTE133.  场效应管, JFET, N沟道, -25V, TO-106

2N4338-E3和NTE133的区别

型号： 2N4338

品牌： 威世

封装： TO-18 N-Channel 50mA 2.5kohms

功能相似

VISHAY  2N4338  晶体管, JFET, JFET, -50 V, 200 µA, 600 µA, 1 V, TO-18, JFET

2N4338-E3和2N4338的区别