2N5195G中文资料参数规格
技术参数
频率 2 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 3.12℃/W RθJC
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 20 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-225-3
外形尺寸
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-225-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5195G引脚图与封装图
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在线购买2N5195G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5195G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号2N5195G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5195G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225-3 PNP -80V -4A 40000mW | 当前型号 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： 2N5195 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 Dual P-Channel 80V 4A 40W | 类似代替 | 硅PNP功率晶体管（ 4安培） Silicon PNP Power Transistors4 AMPERE | 2N5195G和2N5195的区别 |
| 型号： NTE185 品牌： NTE Electronics 封装： TO-126 PNP 40W | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE185 双极性晶体管, PNP -80V TO-126 | 2N5195G和NTE185的区别 |