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2N5192G

ON SEMICONDUCTOR  2N5192G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 10 hFE 新

- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 4 A 2MHz 40 W 通孔 TO-126


得捷:
TRANS NPN 80V 4A TO126


欧时:
BIP C77 NPN 4A 80V


立创商城:
2N5192G


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Allied Electronics:
NPN-SI; TRANSISTOR; NPN; 80; 80; 5; 4 ADC COLLECTOR; 1 ADC IB; 40W; 7 HFE MIN.


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin TO-225AA Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin TO-225AA Box


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225AA Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N5192G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 2 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin TO-225AA Box


2N5192G中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

热阻 3.12℃/W RθJC

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 20 @1.5A, 2V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 2

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5192G引脚图与封装图
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在线购买2N5192G
型号 制造商 描述 购买
2N5192G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N5192G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 10 hFE 新 搜索库存
替代型号2N5192G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N5192G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 NPN 80V 4A 40000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N5192G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 10 hFE 新

当前型号

型号: 2N5192

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 N-Channel 80V 4A 40W

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2N5192G和2N5192的区别

型号: NTE184

品牌: NTE Electronics

封装: TO-126 NPN

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