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2N5657G

ON SEMICONDUCTOR  2N5657G  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 5 hFE 新

- 双极 BJT - 单 NPN 10MHz 通孔 TO-225AA


得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126


立创商城:
NPN 350V 500mA


e络盟:
射频双极晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk


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Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Box


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Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N5657G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 10 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk


2N5657G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 3.70 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @100mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

宽度 2.66 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5657G引脚图与封装图
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在线购买2N5657G
型号 制造商 描述 购买
2N5657G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N5657G  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 5 hFE 新 搜索库存
替代型号2N5657G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N5657G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 NPN 250V 3.7A 20000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N5657G  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 5 hFE 新

当前型号

型号: BD682G

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 PNP -100V 4A 40000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE

2N5657G和BD682G的区别

型号: TIP32CG

品牌: 安森美

封装: TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  TIP32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

2N5657G和TIP32CG的区别

型号: TIP41CG

品牌: 安森美

封装: TO-220 NPN 100V 6A 2000mW

功能相似

NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

2N5657G和TIP41CG的区别