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2N4922G

ON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 3MHz 通孔 TO-225AA


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2N4922G


得捷:
TRANS NPN 60V 1A TO126


欧时:
BIP C77 NPN 3A 60V


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Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


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TRANS NPN 60V 1A TO225AA


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Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-225 Bulk


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# ON SEMICONDUCTOR  2N4922G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE


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Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-225 Bulk


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2N4922G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 4.16℃/W RθJC

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.66 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N4922G引脚图与封装图
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在线购买2N4922G
型号 制造商 描述 购买
2N4922G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE 搜索库存
替代型号2N4922G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N4922G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 NPN 60V 1A 30000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFE

当前型号

型号: MJE3055TG

品牌: 安森美

封装: TO-220 NPN 60V 10A 75000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJE3055TG  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 5 hFE 新

2N4922G和MJE3055TG的区别

型号: 2N4922

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 NPN 60V 1A

类似代替

1安培通用功率晶体管30瓦 1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS

2N4922G和2N4922的区别

型号: MJE15030G

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 NPN 150V 8A 50000mW

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ON SEMICONDUCTOR  MJE15030G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 150 V, 30 MHz, 50 W, 8 A, 40 hFE

2N4922G和MJE15030G的区别