频率 5 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 15.0 A
额定功率 1.8 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 1.67℃/W RθJC
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20 @5A, 4V
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 1.8 W
直流电流增益hFE 5
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications., Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
2N6488G引脚图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N6488G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR 2N6488G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 5 MHz, 40 W, 15 A, 5 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N6488G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-220-3 NPN 80V 15A 1800mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR 2N6488G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 5 MHz, 40 W, 15 A, 5 hFE | 当前型号 | |
型号: 2N6488 品牌: 安森美 封装: TO220 NPN 80V 15A | 完全替代 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 2N6488G和2N6488的区别 | |
型号: NTE331 品牌: NTE Electronics 封装: TO-220 NPN 90W | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE331 晶体管套件 | 2N6488G和NTE331的区别 | |
型号: BD743B-S 品牌: 伯恩斯 封装: TO-220 NPN | 功能相似 | TO-220 NPN 80V 15A | 2N6488G和BD743B-S的区别 |