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2N6667G

ON SEMICONDUCTOR  2N6667G  达林顿双极晶体管

PNP 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220


立创商城:
2N6667G


欧时:
### PNP 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


贸泽:
Darlington Transistors 10A 60V Bipolar Power PNP


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 2 W, -10 A, 100 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
ON Semi 2N6667G PNP Darlington Transistor 60 V HFE:1000; 3-Pin TO-220AB


安富利:
Trans Darlington PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB


Verical:
Trans Darlington PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N6667G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, 60 V, 2 W, -10 A, 20 hFE


罗切斯特:
Trans Darlington PNP 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB


2N6667G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 1000

最大电流放大倍数hFE 20000

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 65 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6667G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N6667G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N6667G  达林顿双极晶体管 搜索库存
替代型号2N6667G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N6667G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220-3 PNP -60V -10A 2000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N6667G  达林顿双极晶体管

当前型号

型号: 2N6667

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 PNP -60V -10A 2000mW

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