1N5282中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.3 V
耗散功率 500 mW
反向恢复时间 4 ns
正向电流 200 mA
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
1N5282引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5282
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5282 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： Axial | 当前型号 | 1N5282: 小信号二极管 | 当前型号 |
| 型号： 1N5282TR 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 1N5282: 小信号二极管 | 1N5282和1N5282TR的区别 |
| 型号： 1N5282_T50R 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | DIODE GEN PURP 80V 200mA DO35 | 1N5282和1N5282_T50R的区别 |