1N5223B-T

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

1N5223B Series 0.5W1/2W 2.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35

Features

● 500mW Power Dissipation

● High Stability

● Surface Mount Equivalents Available

● Hermetic Package

● VZ - Tolerance ±5%

● Lead Free Finish, RoHS Compliant Note 2

得捷:
DIODE ZENER 500MW DO35

艾睿:
Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

富昌:
1N5223B Series 500 mW 2.7 V 200 mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35

Verical:
Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R

AMEYA360:
DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35

1N5223B-T中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

稳压值 2.7 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

1N5223B-T引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
1N5223B-T	Vishay Semiconductor 威世	1N5223B Series 0.5W1/2W 2.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35	搜索库存

替代型号1N5223B-T

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N5223B-T 品牌： Vishay Semiconductor 威世封装： DO-35	当前型号	1N5223B Series 0.5W1/2W 2.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35	当前型号
型号： 1N5223B-TR 品牌：威世封装： DO-35 2.7V	类似代替	VISHAY 1N5223B-TR 齐纳二极管, 500mW, 2.7V, DO-35	1N5223B-T和1N5223B-TR的区别
型号： 1N5223B-TP 品牌：美微科封装： DO-35 2.7V	类似代替	DO-35 2.7V 0.5W1/2W	1N5223B-T和1N5223B-TP的区别
型号： 1N5223B 品牌：飞兆/仙童封装： DO-35 2.7V 2.7V	功能相似	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5223B.. 齐纳二极管	1N5223B-T和1N5223B的区别