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1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

数据手册.pdf

晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V

1HN04CH is a Power MOSFET, 100 V, 8 Ω, 270 mA, Single N-Channel.

Features |   | Benefits

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Halogen Free compliance

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Environmental consideration
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High speed switching and Low loss

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Correspond to required characteristic of motor circuit
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High voltage 100 V

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Usuful for LiB circuit of 48 V for storage
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4 V drive

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1HN04CH-TL-W中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 600 mW

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 0.27A

上升时间 7.4 ns

输入电容Ciss 15pF @20VVds

下降时间 39 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lithium-ion battery charging and discharging cell blance

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1HN04CH-TL-W引脚图与封装图
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1HN04CH-TL-W ON Semiconductor 安森美 晶体管, MOSFET, N沟道, 270 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V 搜索库存