1N5342B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N5342B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.80 V
容差 ±5 %
额定功率 5.00 W
正向电压 1.2V @1A
稳压值 6.8 V
额定功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
材质 Plastic
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
1N5342B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N5342B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5342B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： T-18 6.8V | 当前型号 | 硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N5342B/TR8 品牌： 美高森美 封装： T-18 | 完全替代 | 6.8V 5W | 1N5342B和1N5342B/TR8的区别 |
| 型号： 1N5342BE3/TR8 品牌： 美高森美 封装： T-18 | 完全替代 | 6.8V 5W | 1N5342B和1N5342BE3/TR8的区别 |
| 型号： 1N5342BE3/TR13 品牌： 美高森美 封装： T-18 | 完全替代 | 6.8V 5W | 1N5342B和1N5342BE3/TR13的区别 |