![1N5267BDO35](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_466/chanpintu/1n5267bdo35-0rvWlqiZ-YoW6xMNqN.JPG.png)
额定电压DC 75.0 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
正向电压 1.5V @200mA
稳压值 75 V
正向电压Max 1.5V @200mA
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 DO-35
封装 DO-35
材质 Glass
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N5267BDO35 | Microsemi 美高森美 | Diode Zener 75V 0.5W1/2W Do35 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1N5267BDO35 品牌: Microsemi 美高森美 封装: DO-35 75V | 当前型号 | Diode Zener 75V 0.5W1/2W Do35 | 当前型号 | |
型号: 1N5267BDO-35 品牌: 美高森美 封装: DO-35 75V | 完全替代 | DIODE ZENER 75V 0.5W1/2W DO35 | 1N5267BDO35和1N5267BDO-35的区别 | |
型号: 1N5757B 品牌: 美高森美 封装: DO-35 | 类似代替 | 400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES | 1N5267BDO35和1N5757B的区别 | |
型号: 1N5267B-TP 品牌: 美微科 封装: DO-35 75V | 功能相似 | DO-35 75V 0.5W1/2W | 1N5267BDO35和1N5267B-TP的区别 |