1PMT22AT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 22.0 V
额定功率 200 W
击穿电压 25.6 V
耗散功率 200 W
钳位电压 35.5 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 24.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-216AA
外形尺寸
长度 2.18 mm
宽度 2.05 mm
高度 1.15 mm
封装 DO-216AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1PMT22AT1G引脚图与封装图
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在线购买1PMT22AT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1PMT22AT1G | ON Semiconductor 安森美 | 1PMT 系列 26.9 V 200 W 齐纳 瞬态电压抑制二极管 POWERMITE | 搜索库存 |
替代型号1PMT22AT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1PMT22AT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： Power 22V 200W | 当前型号 | 1PMT 系列 26.9 V 200 W 齐纳 瞬态电压抑制二极管 POWERMITE | 当前型号 |
| 型号： 1PMT22AT1 品牌： 安森美 封装： Power 22V 200W | 完全替代 | 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package | 1PMT22AT1G和1PMT22AT1的区别 |
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