1SMB9.0AT3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 10 V
耗散功率 600 W
钳位电压 15.4 V
最大反向电压(Vrrm) 9V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 10 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
1SMB9.0AT3引脚图与封装图
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在线购买1SMB9.0AT3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1SMB9.0AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1SMB9.0AT3
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1SMB9.0AT3 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: DO-214AA | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 | |
型号: 1SMB9.0AT3G 品牌: 安森美 封装: SMB | 功能相似 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor | 1SMB9.0AT3和1SMB9.0AT3G的区别 |