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1SMA6.0AT3

1SMA6.0AT3

数据手册.pdf

400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

10.3V 夹子 38.8A Ipp TVS - 表面贴装型 SMA


得捷:
TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMA


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 6V 400W Automotive 2-Pin SMA T/R


1SMA6.0AT3中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 10.3 V

最大反向电压(Vrrm) 6V

测试电流 10 mA

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 6.67 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

1SMA6.0AT3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1SMA6.0AT3 ON Semiconductor 安森美 400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors 搜索库存
替代型号1SMA6.0AT3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMA6.0AT3

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DO-214AC

当前型号

400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

当前型号

型号: 1SMA6.0AT3G

品牌: 安森美

封装: SMA

完全替代

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

1SMA6.0AT3和1SMA6.0AT3G的区别

型号: SMAJ6.0CA

品牌: 意法半导体

封装:

功能相似

SMAJ6.0CA 瞬态抑制二极管TVS/ESD 6.0V 38.8A DO-214AC/SMA-6V 标记DBB

1SMA6.0AT3和SMAJ6.0CA的区别