1SMB150AT3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 167 V
耗散功率 600 W
钳位电压 243 V
最大反向电压（Vrrm） 150V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 167 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
1SMB150AT3引脚图与封装图
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在线购买1SMB150AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1SMB150AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1SMB150AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1SMB150AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-214AA | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： SMBJ150A 品牌： 力特 封装： DO-214 150V 600W | 功能相似 | LITTELFUSE SMBJ150A 瞬时浪涌保护晶闸管 | 1SMB150AT3和SMBJ150A的区别 |
| 型号： 1SMB150AT3G 品牌： 安森美 封装： SMB | 功能相似 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 1SMB150AT3和1SMB150AT3G的区别 |