1N6379中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 25.9 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AD
外形尺寸
封装 DO-201AD
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
1N6379引脚图与封装图
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在线购买1N6379
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6379 | ON Semiconductor 安森美 | 1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1N6379
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6379 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： Axial | 当前型号 | 1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： 1.5KE30AG 品牌： 安森美 封装： DO-201AD 30V 36A 1.5kW | 类似代替 | 1N6267A 系列 31.5 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器 | 1N6379和1.5KE30AG的区别 |
| 型号： ICTE-22 品牌： MDE Semiconductor 封装： | 功能相似 | Transient Suppressor, | 1N6379和ICTE-22的区别 |