击穿电压 13.3 V
电路数 1
耗散功率 1 kW
钳位电压 19.9 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 13.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-216AA
封装 DO-216AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1PMT12AT3G | ON Semiconductor 安森美 | 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1PMT12AT3G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: DO-216AA | 当前型号 | 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package | 当前型号 | |
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型号: 1PMT12AT1 品牌: 安森美 封装: Power 12V 175W | 类似代替 | 1PMT12AT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 12V 10.1A 1.5W 457-04 标记MLE | 1PMT12AT3G和1PMT12AT1的区别 |