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1PMT12AT3G

1PMT12AT3G

数据手册.pdf

齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package

19.9V 夹子 - Ipp TVS - 表面贴装型 Powermite


得捷:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC POWERMITE


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 12V 200W Powermite Unidirectional


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 1KW 2-Pin Power Mite T/R


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 1KW 2-Pin Power Mite Reel


罗切斯特:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Win Source:
TVS DIODE 12VWM POWERMITE


1PMT12AT3G中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 13.3 V

电路数 1

耗散功率 1 kW

钳位电压 19.9 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 13.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-216AA

外形尺寸

封装 DO-216AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

1PMT12AT3G引脚图与封装图
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在线购买1PMT12AT3G
型号 制造商 描述 购买
1PMT12AT3G ON Semiconductor 安森美 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package 搜索库存
替代型号1PMT12AT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1PMT12AT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DO-216AA

当前型号

齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package

当前型号

型号: 1PMT12AT3

品牌: 安森美

封装: DO-216AA

完全替代

齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package

1PMT12AT3G和1PMT12AT3的区别

型号: 1PMT12AT1G

品牌: 安森美

封装: POWERMITE 12V 200W

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型号: 1PMT12AT1

品牌: 安森美

封装: Power 12V 175W

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