额定电压DC 30.0 V
额定功率 200 W
击穿电压 35.1 V
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 33.3 V
安装方式 Surface Mount
封装 DO-216AA
长度 2.18 mm
宽度 2.05 mm
高度 1.15 mm
封装 DO-216AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1PMT30AT1 | ON Semiconductor 安森美 | 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 1PMT30AT1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: CASE 30V 200W | 当前型号 | 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package | 当前型号 | |
型号: 1PMT30AT1G 品牌: 安森美 封装: DO-216AA 30V 200W | 类似代替 | 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package | 1PMT30AT1和1PMT30AT1G的区别 | |
型号: SMF30AT1G 品牌: 安森美 封装: SOD-123FL 30V 200W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR SMF30AT1G TVS二极管, TVS, SMF系列, 单向, 30 V, 48.4 V, SOD-123FL, 2 引脚 | 1PMT30AT1和SMF30AT1G的区别 | |
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