锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1SMB70AT3

1SMB70AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 70V 5.3A 3W DO-214AA/SMB-70v 标记NP

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 70V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 81.9V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 5.3A 额定耗散功率PdPower dissipation| 3W Description & Applications| 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 170 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 199 V • Peak Power − 600 W @ 1.0 ms • ESD Rating of Class 3 >16 kV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5.0 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1.0 ns • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至170 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至199 V •峰值电力 - 600 W@1.0ms •每人体模型ESD额定值的类3(>16千伏) •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏高于10 V<5.0 UA •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常<1.0ns •无铅包可用

1SMB70AT3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定功率 600 W

击穿电压 77.8 V

耗散功率 600 W

钳位电压 113 V

最大反向电压(Vrrm) 70V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 77.8 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.81 mm

高度 2.41 mm

封装 DO-214AA

厚度 2.41 mm

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

1SMB70AT3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1SMB70AT3
型号 制造商 描述 购买
1SMB70AT3 ON Semiconductor 安森美 1SMB70AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 70V 5.3A 3W DO-214AA/SMB-70v 标记NP 搜索库存
替代型号1SMB70AT3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1SMB70AT3

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DO-214AA 7V 600W

当前型号

1SMB70AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 70V 5.3A 3W DO-214AA/SMB-70v 标记NP

当前型号

型号: 1SMB70AT3G

品牌: 安森美

封装: SMB 7V 600W

功能相似

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

1SMB70AT3和1SMB70AT3G的区别