1N6373RL4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.00 V
额定功率 1.50 kW
电路数 1
钳位电压 7.5 V
最大反向电压（Vrrm） 5V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 6 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 41A-04
外形尺寸
长度 9.50 mm
直径 5.30 mm
封装 41A-04
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N6373RL4引脚图与封装图
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在线购买1N6373RL4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6373RL4 | ON Semiconductor 安森美 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1N6373RL4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6373RL4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-201 6V 1.5kW | 当前型号 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： MPTE-5RL4 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 1N6373RL4和MPTE-5RL4的区别 |
| 型号： 1N6373RL4G 品牌： 安森美 封装： 6V 1.5kW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 1N6373RL4G. 二极管, TVS, 1.5KW, 5V, 41A, 整卷 | 1N6373RL4和1N6373RL4G的区别 |
| 型号： ICTE5-E3/54 品牌： 威世 封装： DO-201 | 功能相似 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装 1500W，ICTE 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | 1N6373RL4和ICTE5-E3/54的区别 |