1SMB60AT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.00 V
额定功率 600 W
击穿电压 7.02 V
最大反向电压（Vrrm） 60V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 66.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 DO-214AA
厚度 2.41 mm
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
1SMB60AT3引脚图与封装图
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在线购买1SMB60AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1SMB60AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1SMB60AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1SMB60AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-214AA 6V 600W | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： SMBJ60A 品牌： 安森美 封装： DO-214AA | 完全替代 | TVS 二极管 ON Semiconductor SMBJ60A 单向, 600W, 96.8V, 2针 DO-214AA SMB封装 | 1SMB60AT3和SMBJ60A的区别 |
| 型号： 1SMB60AT3G 品牌： 力特 封装： DO-214AA | 类似代替 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 1SMB60AT3和1SMB60AT3G的区别 |