1SMB26AT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 26.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 30.4 V
最大反向电压（Vrrm） 26V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 28.9 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMB
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
厚度 2.41 mm
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
1SMB26AT3引脚图与封装图
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在线购买1SMB26AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1SMB26AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1SMB26AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1SMB26AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMB 26V 600W | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： 1SMB26AT3G 品牌： 安森美 封装： SMB 26V 600W | 完全替代 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 1SMB26AT3和1SMB26AT3G的区别 |
| 型号： SMBJ26A-TR 品牌： 意法半导体 封装： DO-214AA 26V 600W | 功能相似 | STMICROELECTRONICS SMBJ26A-TR TVS二极管, TVS, Transil SMBJ系列, 单向, 26 V, 53.5 V, DO-214AA, 2 引脚 | 1SMB26AT3和SMBJ26A-TR的区别 |