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109D306X9100T2

109D306X9100T2

数据手册.pdf
109D306X9100T2中文资料参数规格
技术参数

电容 30 µF

等效串联电阻ESR 4 Ω

容差 ±10 %

纹波电流 340 mA

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Axial

外形尺寸

封装 Axial

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

109D306X9100T2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
109D306X9100T2 Vishay Semiconductor 威世 Cap Tant Wet 30uF 100V 10% 10.31 X 23.4mm Axial 4Ω 125℃ Plastic Tray 搜索库存
替代型号109D306X9100T2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 109D306X9100T2

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: Axial 30uF 10per

当前型号

Cap Tant Wet 30uF 100V 10% 10.31 X 23.4mm Axial 4Ω 125℃ Plastic Tray

当前型号

型号: 135D306X9100T2

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封装: 30uF 10per

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