1N3595US
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
1N3595US中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1V @200mA
耗散功率 500 mW
反向恢复时间 3000 ns
正向电流 150 mA
正向电流Max 150 mA
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 B-MELF
外形尺寸
封装 B-MELF
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
1N3595US引脚图与封装图
暂无图片
替代型号1N3595US
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N3595US 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-204AH | 当前型号 | Diode Switching 150V 0.15A 2Pin B-MELF | 当前型号 |
| 型号： 1N5817G 品牌： 安森美 封装： DO-204AL 20V 1A 450mV | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 1N5817G 肖特基整流器, 通用, 单, 20 V, 1 A, DO-204AL, 2 引脚, 450 mV | 1N3595US和1N5817G的区别 |
| 型号： 1N4004-T 品牌： 美台 封装： DO-41 400V 1A | 功能相似 | DIODES INC. 1N4004-T 标准恢复二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 30 A | 1N3595US和1N4004-T的区别 |
| 型号： 1N3595TR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 150V 200mA | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N3595TR 二极管 小信号, 单, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A | 1N3595US和1N3595TR的区别 |