1N6386-E3/54中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 25.5 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 21.2 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AA
外形尺寸
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
1N6386-E3/54引脚图与封装图
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在线购买1N6386-E3/54
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6386-E3/54 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 18V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R | 搜索库存 |
替代型号1N6386-E3/54
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6386-E3/54 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 18V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R | 当前型号 |
| 型号： ICTE18C-E3/54 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVS | 1N6386-E3/54和ICTE18C-E3/54的区别 |
| 型号： ICTE18C-E3/73 品牌： 威世 封装： DO-201 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVS | 1N6386-E3/54和ICTE18C-E3/73的区别 |
| 型号： 1N6386HE3_A/C 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | 1.5kW, 18V 10%, Bidir, Axial Tvs | 1N6386-E3/54和1N6386HE3_A/C的区别 |
