1.5KE56ARL4G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
1.5KE56ARL4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 56.0 V
额定功率 1.50 kW
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 56.0 V
电路数 1
钳位电压 77 V
最大反向电压（Vrrm） 47.8V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 58.8 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 53.2 V
击穿电压 53.2 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 175℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 41A-04
外形尺寸
长度 9.5 mm
直径 5.30 mm
封装 41A-04
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
1.5KE56ARL4G引脚图与封装图
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在线购买1.5KE56ARL4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1.5KE56ARL4G | ON Semiconductor 安森美 | 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号1.5KE56ARL4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1.5KE56ARL4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： Case 56V 1.5kW | 当前型号 | 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： 1.5KE56ARL4 品牌： 安森美 封装： DO-201 56V 1.5kW | 完全替代 | 1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 1.5KE56ARL4G和1.5KE56ARL4的区别 |
| 型号： 1.5KE56A 品牌： 意法半导体 封装： DO-201 56V 1.5kW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS 1.5KE56A TVS二极管, TVS, Transil 1.5KE系列, 单向, 47.8 V, 77 V, DO-201, 2 引脚 | 1.5KE56ARL4G和1.5KE56A的区别 |
| 型号： 1.5KE56A-T 品牌： 美台 封装： DO201AD 1.5kW | 功能相似 | 单向 47.8V | 1.5KE56ARL4G和1.5KE56A-T的区别 |