199D475X9035C2V1E3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35 V
电容 4.7 μF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Radial
外形尺寸
长度 0.36 in
高度 0.52 in
封装 Radial
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D475X9035C2V1E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D475X9035C2V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 4.7uF 35V 10% RADIAL | 搜索库存 |