1N6376G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
1N6376G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 14.1 V
额定电流 125 A
额定功率 1.50 kW
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 14.1 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 1500 W
钳位电压 21.2 V
最大反向电压（Vrrm） 12V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 14.1 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 14.1 V
击穿电压 14.1 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
外形尺寸
长度 9.5 mm
直径 5.30 mm
封装 DO-201AD
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 通用, Consumer Electronics, Power Management, Communications & Networking, Automation & Process Control, Computers & Computer Peripherals, Medical, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N6376G引脚图与封装图
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在线购买1N6376G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N6376G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR 1N6376G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 12 V, 21.2 V, 轴向引线, 2 引脚 | 搜索库存 |
替代型号1N6376G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N6376G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 14.1V 125A 1.5kW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR 1N6376G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 12 V, 21.2 V, 轴向引线, 2 引脚 | 当前型号 |
| 型号： MPTE-12RL4G 品牌： 安森美 封装： DO-201AD | 完全替代 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 1N6376G和MPTE-12RL4G的区别 |
| 型号： 1N6376RL4 品牌： 安森美 封装： DO-201 | 完全替代 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 1N6376G和1N6376RL4的区别 |
| 型号： 1N6376RL4G 品牌： 安森美 封装： Case | 类似代替 | 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors | 1N6376G和1N6376RL4G的区别 |