1SMB85AT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 8.50 V
额定功率 600 W
击穿电压 9.92 V
电路数 1
钳位电压 137 V
最大反向电压（Vrrm） 85V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 94.4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 SMB
厚度 2.41 mm
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
HTS代码 8541100080
1SMB85AT3引脚图与封装图
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在线购买1SMB85AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1SMB85AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号1SMB85AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1SMB85AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMB 8.5V 600W | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： 1SMB85AT3G 品牌： 安森美 封装： SMB 85V 600W | 类似代替 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 1SMB85AT3和1SMB85AT3G的区别 |
| 型号： SZ1SMB85AT3G 品牌： 力特 封装： | 类似代替 | Trans Voltage Suppressor Diode, | 1SMB85AT3和SZ1SMB85AT3G的区别 |
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