12A02MH-TL-E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 600 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 700
额定功率Max 600 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Low-frequency Amplifi er, high-speed switching, small motor drive, muting circuit
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
12A02MH-TL-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买12A02MH-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 12A02MH-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | PNP 晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号12A02MH-TL-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 12A02MH-TL-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 3-SMD PNP 600mW | 当前型号 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |