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1N4935G

1N4935G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  1N4935G  快速恢复功率整流器

整流器，1A 至 1.5A，

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


欧时:
ON Semiconductor 二极管 1N4935G 快速恢复, Io=1A, Vrev=200V, 200ns, 2引脚 DO-41封装


得捷:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL


立创商城:
1N4935G


贸泽:
整流器 200V 1A Fast


e络盟:
快速恢复功率整流器


艾睿:
Rectifier Diode Switching 200V 1A 300ns 2-Pin DO-41 Bag


Allied Electronics:
Rectifier, Axial-Lead Fast-Recovery, 1 A, 200 V, Case 59, Pb-Free


安富利:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag


Chip1Stop:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag


Verical:
Rectifier Diode Switching 200V 1A 300ns 2-Pin DO-41 Bag


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1N4935G  Standard Recovery Diode, 200 V, 1 A, Single, 1.2 V, 300 ns, 30 A


罗切斯特:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag


1N4935G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤1.00 A

正向电压 1.2 V

极性 Standard

热阻 65℃/W RθJA

反向恢复时间 300 ns

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 30 A

正向电压Max 1.2 V

正向电流Max 1 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 2.7 mm

高度 5.2 mm

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1N4935G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
1N4935G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  1N4935G  快速恢复功率整流器 搜索库存
替代型号1N4935G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 1N4935G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： DO-41 200V 1A

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  1N4935G  快速恢复功率整流器

当前型号

型号： MUR120RLG

品牌： 安森美

封装： DO-204AL 200V 1A 875mV

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MUR120RLG  快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 1.25 V, 75 ns, 35 A

1N4935G和MUR120RLG的区别

型号： 1N4003G

品牌： 安森美

封装： DO-41 200V 1A

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  1N4003G  快速恢复功率整流器

1N4935G和1N4003G的区别

型号： MUR120G

品牌： 安森美

封装： DO-41 200V 1A

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MUR120G  快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 875 mV, 35 ns, 35 A

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